창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BC856LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | BC856LT1G | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT23 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | BC856LT1G | |
| 관련 링크 | BC856, BC856LT1G 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | SRR0735A-391M | 390µH Shielded Wirewound Inductor 300mA 2.3 Ohm Max Nonstandard | SRR0735A-391M.pdf | |
![]() | S1812-332K | 3.3µH Shielded Inductor 534mA 700 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-332K.pdf | |
![]() | ARE1324 | RF Relay SPDT (1 Form C) Through Hole | ARE1324.pdf | |
![]() | MBB02070C3324FC100 | RES 3.32M OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3324FC100.pdf | |
![]() | VP5311BCG | VP5311BCG MIT QFP | VP5311BCG.pdf | |
![]() | K4E171612D-JL50 | K4E171612D-JL50 SAMSUNG SOJ | K4E171612D-JL50.pdf | |
![]() | HV9911NGG | HV9911NGG HI SOP | HV9911NGG.pdf | |
![]() | BH-D6, 2P,6A,10A ,16A | BH-D6, 2P,6A,10A ,16A MITSUBISHI SMD or Through Hole | BH-D6, 2P,6A,10A ,16A.pdf | |
![]() | CCR07CG104KR | CCR07CG104KR KEMET DIP | CCR07CG104KR.pdf | |
![]() | RA3-10V331MG3 | RA3-10V331MG3 ELNA DIP | RA3-10V331MG3.pdf | |
![]() | RFL1N16L | RFL1N16L HARRIS CAN3 | RFL1N16L.pdf | |
![]() | RTM875N-606-LFT | RTM875N-606-LFT REALTEK ORIGIANL | RTM875N-606-LFT.pdf |