홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이 » BC856BDW1T1G

ON Semiconductor BC856BDW1T1G

BC856BDW1T1G
제조업체 부품 번호
BC856BDW1T1G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이
간단한 설명
TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
데이터 시트 다운로드
다운로드
BC856BDW1T1G 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 27.78685
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BC856BDW1T1G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. BC856BDW1T1G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BC856BDW1T1G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BC856BDW1T1G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BC856BDW1T1G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BC856BDW1T1G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BC85(6, 7, 8)xDW1T1 Series
PCN 설계/사양Copper Wire 08/Jun/2009
PCN 조립/원산지Wafer Source Addition 26/Nov/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)65V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic650mV @ 5mA, 100mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)15nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce220 @ 2mA, 5V
전력 - 최대380mW
주파수 - 트랜지션100MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363
표준 포장 3,000
다른 이름BC856BDW1T1G-ND
BC856BDW1T1GOSTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BC856BDW1T1G
관련 링크BC856BD, BC856BDW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
BC856BDW1T1G 의 관련 제품
8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) SR075A8R0DAR.pdf
RES SMD 84.5K OHM 1/16W 0402 RT0402CRE0784K5L.pdf
XC4005E-PQ160 XILINX SMD or Through Hole XC4005E-PQ160.pdf
49LF008A33-4C-EI SST TSSOP-40 49LF008A33-4C-EI.pdf
CYWUSB6932-28SEC CYPRESS SOP28 CYWUSB6932-28SEC.pdf
42926 ST SOP8 42926.pdf
ICNJM78M05DL1A-TE1 ORIGINAL SOT263 ICNJM78M05DL1A-TE1.pdf
833-1A-C-DC ORIGINAL SMD or Through Hole 833-1A-C-DC.pdf
MAX8521ETP+-MAXIM ORIGINAL SMD or Through Hole MAX8521ETP+-MAXIM.pdf
ZTTRS8.00MG JK SMD or Through Hole ZTTRS8.00MG.pdf
SOC373 MOT PDIP SOC373.pdf