창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BC856BDW1T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BC85(6, 7, 8)xDW1T1 Series | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 65V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 15nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V | |
전력 - 최대 | 380mW | |
주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BC856BDW1T1G-ND BC856BDW1T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BC856BDW1T1G | |
관련 링크 | BC856BD, BC856BDW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | GRM1885C1H2R2BZ01J | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H2R2BZ01J.pdf | |
![]() | USBQNM50405CE3/TR7 | TVS DIODE 5VWM 12VC QFN | USBQNM50405CE3/TR7.pdf | |
![]() | 7M-50.000MAHE-T | 50MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M-50.000MAHE-T.pdf | |
![]() | TBPDLNS030PGUCV | Pressure Sensor 30 PSI (206.84 kPa) Vented Gauge Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 mV ~ 27.5 mV (5V) 4-DIP (0.453", 11.50mm), Top Port | TBPDLNS030PGUCV.pdf | |
![]() | 4SS152MLC10X10.5EC | 4SS152MLC10X10.5EC ORIGINAL SMD or Through Hole | 4SS152MLC10X10.5EC.pdf | |
![]() | XLS93C56P | XLS93C56P EXEL DIP | XLS93C56P.pdf | |
![]() | ADM809TARA | ADM809TARA ADI SMD or Through Hole | ADM809TARA.pdf | |
![]() | PMB2920SV31 | PMB2920SV31 Infineon SSOP24 | PMB2920SV31.pdf | |
![]() | W81181ADG | W81181ADG WINBOND QFP | W81181ADG.pdf | |
![]() | C1210C106K4VAC | C1210C106K4VAC KEMET SMD | C1210C106K4VAC.pdf |