창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BC856B-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BC856A - BC858C | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1571 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 65V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 15nA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BC856B-7-F-ND BC856B-7-FDITR BC856B-7-FDITR-ND BC856B-7FDITR BC856B7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BC856B-7-F | |
| 관련 링크 | BC856B, BC856B-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | FQP9N30 | MOSFET N-CH 300V 9A TO-220 | FQP9N30.pdf | |
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![]() | ST92195C3B1/EUN | ST92195C3B1/EUN ST DIP-56L | ST92195C3B1/EUN.pdf | |
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![]() | STRG6352(STR-G6352) | STRG6352(STR-G6352) SANKEN SMD or Through Hole | STRG6352(STR-G6352).pdf | |
![]() | LT1765EFE-1.8#TRPBF | LT1765EFE-1.8#TRPBF LT SSOP(LEAD-FREE) | LT1765EFE-1.8#TRPBF.pdf | |
![]() | 54900008000 | 54900008000 HGF SMD or Through Hole | 54900008000.pdf | |
![]() | 74S409N | 74S409N MMI DIP48 | 74S409N.pdf | |
![]() | 75N10 | 75N10 ORIGINAL TO-3P | 75N10.pdf | |
![]() | T494V106K035AT | T494V106K035AT KEMET SMD | T494V106K035AT.pdf |