창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BC856ALT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BC85xxLT1 Series | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 19/May/2010 Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1557 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 65V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 15nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 125 @ 2mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BC856ALT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BC856ALT1G | |
| 관련 링크 | BC856A, BC856ALT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | EKMH401VNN221MAR25 | 220µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | EKMH401VNN221MAR25.pdf | |
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![]() | H4154RBYA | RES 154 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4154RBYA.pdf | |
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![]() | BC41C671A-IPK-E4 BC57E687C-ITB-E4 BC57F687A05-IQF | BC41C671A-IPK-E4 BC57E687C-ITB-E4 BC57F687A05-IQF CSR SMD or Through Hole | BC41C671A-IPK-E4 BC57E687C-ITB-E4 BC57F687A05-IQF.pdf | |
![]() | 2SC618A | 2SC618A FUJITSU CAN4 | 2SC618A.pdf | |
![]() | 50V47UF (6*12) | 50V47UF (6*12) QIFA SMD or Through Hole | 50V47UF (6*12).pdf | |
![]() | 14.318H5B | 14.318H5B N/A NA | 14.318H5B.pdf | |
![]() | FN1F4M-T1(M32) | FN1F4M-T1(M32) NEC SOT23 | FN1F4M-T1(M32).pdf | |
![]() | M95640WM | M95640WM ORIGINAL SMD or Through Hole | M95640WM.pdf | |
![]() | SC2602ASTR | SC2602ASTR SEMTECH SOP-14 | SC2602ASTR.pdf |