창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BC849BLT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BC846ALT1G Series | |
| PCN 설계/사양 | Gold to Copper Wire 08/May/2007 Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 30V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 15nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BC849BLT1G-ND BC849BLT1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BC849BLT1G | |
| 관련 링크 | BC849B, BC849BLT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CGA2B2X7R1H221M050BA | 220pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2X7R1H221M050BA.pdf | |
![]() | SIT8008AI-23-25E-100.000000E | OSC XO 2.5V 100MHZ | SIT8008AI-23-25E-100.000000E.pdf | |
![]() | RT1206DRD07127KL | RES SMD 127K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD07127KL.pdf | |
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![]() | KHS54 | KHS54 KHATOD SMD or Through Hole | KHS54.pdf | |
![]() | EA414 | EA414 ORIGINAL SOP | EA414.pdf | |
![]() | SR733ATTE4R02F | SR733ATTE4R02F KOA SMD or Through Hole | SR733ATTE4R02F.pdf | |
![]() | FB784729-Y7-S | FB784729-Y7-S ORIGINAL SMD or Through Hole | FB784729-Y7-S.pdf | |
![]() | LP3596L-5.0 | LP3596L-5.0 UTC TO220 | LP3596L-5.0.pdf | |
![]() | K4X56323PN-8GC6T | K4X56323PN-8GC6T SAMSUNG S | K4X56323PN-8GC6T.pdf | |
![]() | UPD23C8000WCTX-513-E1 | UPD23C8000WCTX-513-E1 ORIGINAL SOP | UPD23C8000WCTX-513-E1.pdf | |
![]() | 2SC2721L | 2SC2721L NEC TO-92MF | 2SC2721L.pdf |