창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BC848CPDW1T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BC/SBC84x(B,C)PDW1TxG Series | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN, PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 30V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 15nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V | |
전력 - 최대 | 250mW | |
주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BC848CPDW1T1G-ND BC848CPDW1T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BC848CPDW1T1G | |
관련 링크 | BC848CP, BC848CPDW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
IPI80404S3-03 | IPI80404S3-03 InfineonTechnolog SMD or Through Hole | IPI80404S3-03.pdf | ||
74AC05DR | 74AC05DR ON SMD or Through Hole | 74AC05DR.pdf | ||
ICEIPCA02 | ICEIPCA02 ORIGINAL DIP8 | ICEIPCA02.pdf | ||
LSC88970DW | LSC88970DW VT SOP | LSC88970DW.pdf | ||
CT-6P50(500) | CT-6P50(500) COPAL SMD or Through Hole | CT-6P50(500).pdf | ||
X0245TA22 | X0245TA22 SHARP SMD or Through Hole | X0245TA22.pdf | ||
GR6004 | GR6004 grenergy SMD or Through Hole | GR6004.pdf | ||
PCB324833DNIAUNP155 | PCB324833DNIAUNP155 CIRCUITECH SMD or Through Hole | PCB324833DNIAUNP155.pdf | ||
IPM6220 | IPM6220 HARRIS SSOP24 | IPM6220.pdf | ||
RW2-243.3D/B | RW2-243.3D/B MAX SMD or Through Hole | RW2-243.3D/B.pdf | ||
LM293DR2GOS | LM293DR2GOS ON AN | LM293DR2GOS.pdf | ||
CIH10T8N2KNE | CIH10T8N2KNE SAMSUNG SMD | CIH10T8N2KNE.pdf |