창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BC817-40LT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BC817-xxL, SBC817-xxL | |
| PCN 설계/사양 | Gold to Copper Wire 08/May/2007 Glue Mount Process 11/July/2008 Copper Wire Update 10/Sep/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1555 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 500mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 45V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V | |
| 전력 - 최대 | 300mW | |
| 주파수 - 트랜지션 | 100MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BC817-40LT1GOSTR BC81740LT1G | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BC817-40LT1G | |
| 관련 링크 | BC817-4, BC817-40LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | YC124-JR-0716RL | RES ARRAY 4 RES 16 OHM 0804 | YC124-JR-0716RL.pdf | |
![]() | CMSH2-40M | CMSH2-40M Centralsemi SMA | CMSH2-40M.pdf | |
![]() | HD404720A12S | HD404720A12S HITACHI DIP | HD404720A12S.pdf | |
![]() | 5016452629+ | 5016452629+ MOLEX SMD or Through Hole | 5016452629+.pdf | |
![]() | L78L08ABD | L78L08ABD ST SOP-8 | L78L08ABD.pdf | |
![]() | C8051F300-67 | C8051F300-67 SILICON MLP-11 | C8051F300-67.pdf | |
![]() | MN170801KAV | MN170801KAV ORIGINAL QFP | MN170801KAV.pdf | |
![]() | BAP64-04,215 | BAP64-04,215 NXP SMD or Through Hole | BAP64-04,215.pdf | |
![]() | IDT6116SA45L24 | IDT6116SA45L24 IDT LCC | IDT6116SA45L24.pdf | |
![]() | TA7812S(Q)--Z11 | TA7812S(Q)--Z11 TOSHIBA SMD or Through Hole | TA7812S(Q)--Z11.pdf | |
![]() | CB903 | CB903 FUJI DIP | CB903.pdf | |
![]() | VHLIS1622A/-1 | VHLIS1622A/-1 S SOP10 | VHLIS1622A/-1.pdf |