창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BBY5502VH6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BBY55 | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 가변 정전용량 다이오드(배리캡, 버랙터) | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
정전 용량 @ Vr, F | 6.5pF @ 10V, 1MHz | |
정전 용량비 | 3 | |
용량비 조건 | C2/C10 | |
전압 - 피크 역(최대) | 16V | |
다이오드 유형 | 단일 | |
Q @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
공급 장치 패키지 | PG-SC79-2 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BBY 55-02V H6327 BBY 55-02V H6327-ND SP000743556 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BBY5502VH6327XTSA1 | |
관련 링크 | BBY5502VH6, BBY5502VH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RDE5C1H103J1M1H03A | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.177" L x 0.124" W(4.50mm x 3.15mm) | RDE5C1H103J1M1H03A.pdf | |
![]() | C937U101JZSDAAWL20 | 100pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | C937U101JZSDAAWL20.pdf | |
![]() | ASFLMPC-76.800MHZ-Z-T | 76.8MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | ASFLMPC-76.800MHZ-Z-T.pdf | |
![]() | KTR18EZPF5230 | RES SMD 523 OHM 1% 1/4W 1206 | KTR18EZPF5230.pdf | |
![]() | PRK22J5BBBNN | PRK22J5BBBNN CHY SMD or Through Hole | PRK22J5BBBNN.pdf | |
![]() | ECHU1H104GC9(100N 2% 50V) | ECHU1H104GC9(100N 2% 50V) ORIGINAL SMD or Through Hole | ECHU1H104GC9(100N 2% 50V).pdf | |
![]() | ST16C554DCQ64-LF | ST16C554DCQ64-LF XR SMD or Through Hole | ST16C554DCQ64-LF.pdf | |
![]() | NN514256J-45T | NN514256J-45T NPN SOJ | NN514256J-45T.pdf | |
![]() | A9542 | A9542 ORIGINAL SMD or Through Hole | A9542.pdf | |
![]() | K4F160812C-BL60 | K4F160812C-BL60 SAMSUNG SMD or Through Hole | K4F160812C-BL60.pdf | |
![]() | K6X1008T2D-GF70T00 | K6X1008T2D-GF70T00 Samsung SMD or Through Hole | K6X1008T2D-GF70T00.pdf |