창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BBY5303WE6327HTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BBY53 | |
PCN 설계/사양 | Diode Pad Design Chg 22/Jul/2016 | |
PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 가변 정전용량 다이오드(배리캡, 버랙터) | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
정전 용량 @ Vr, F | 3.1pF @ 3V, 1MHz | |
정전 용량비 | 2.6 | |
용량비 조건 | C1/C3 | |
전압 - 피크 역(최대) | 6V | |
다이오드 유형 | 단일 | |
Q @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOD323-2 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BBY 53-03W E6327 BBY 53-03W E6327-ND BBY5303WE6327XT SP000010461 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BBY5303WE6327HTSA1 | |
관련 링크 | BBY5303WE6, BBY5303WE6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | MALREKB00BA315EM0K | 150µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 1.41 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 105°C | MALREKB00BA315EM0K.pdf | |
![]() | GRM1885C2A220JA01J | 22pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A220JA01J.pdf | |
![]() | FG28X7R1H152KNT06 | 1500pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FG28X7R1H152KNT06.pdf | |
![]() | S331K25X5FN6UJ6R | 330pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X5F 방사형, 디스크 | S331K25X5FN6UJ6R.pdf | |
![]() | SIT9003AI-3-18SB | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.5mA Standby | SIT9003AI-3-18SB.pdf | |
![]() | RG1608P-9312-W-T1 | RES SMD 93.1K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-9312-W-T1.pdf | |
![]() | 2SC3052-T112-1 | 2SC3052-T112-1 ORIGINAL SOT23 | 2SC3052-T112-1.pdf | |
![]() | 2N953 | 2N953 ST/MOTO CAN to-39 | 2N953.pdf | |
![]() | 74LV4020N | 74LV4020N PHI DIP | 74LV4020N.pdf | |
![]() | P1168.154 | P1168.154 PULSE SMD | P1168.154.pdf | |
![]() | 10-497630-25 | 10-497630-25 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10-497630-25.pdf | |
![]() | TPC8046H | TPC8046H TOSHIBA SMD or Through Hole | TPC8046H.pdf |