창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAW56UE6433HTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAW56 | |
PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 2쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 4ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 150nA @ 70V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | PG-SC74-6 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | BAW 56U E6433 BAW 56U E6433-ND SP000492394 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAW56UE6433HTMA1 | |
관련 링크 | BAW56UE64, BAW56UE6433HTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
416F26013AKR | 26MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26013AKR.pdf | ||
BYW32-TAP | DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57 | BYW32-TAP.pdf | ||
CRGH0603J30R | RES SMD 30 OHM 5% 1/5W 0603 | CRGH0603J30R.pdf | ||
DS87C250QWL | DS87C250QWL NS DIP | DS87C250QWL.pdf | ||
MBN10HL116 | MBN10HL116 ORIGINAL SOP | MBN10HL116.pdf | ||
LM210AJ-8 | LM210AJ-8 NSC CDIP8 | LM210AJ-8.pdf | ||
PESD5V0L5UF,115 | PESD5V0L5UF,115 NXP SMD or Through Hole | PESD5V0L5UF,115.pdf | ||
TSCC51TPG-12CA | TSCC51TPG-12CA TEMIC DIP-40 | TSCC51TPG-12CA.pdf | ||
TA2066A | TA2066A ORIGINAL QFP | TA2066A.pdf | ||
MT1389QE-KEAL | MT1389QE-KEAL MTk QFP-128 | MT1389QE-KEAL.pdf | ||
DG308ADJ | DG308ADJ SILICONI DIP16 | DG308ADJ.pdf | ||
HZ7B2-E | HZ7B2-E RENESAS SMD or Through Hole | HZ7B2-E.pdf |