창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAW56LT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAW56LT1 | |
PCN 설계/사양 | Gold to Copper Wire 08/May/2007 Glue Mount Process 11/July/2008 | |
카탈로그 페이지 | 1564 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 70V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 6ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2.5µA @ 70V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BAW56LT1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAW56LT1G | |
관련 링크 | BAW56, BAW56LT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
826AVG050MFBJ | 82µF 50V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 2.4261 Ohm 2000 Hrs @ 125°C | 826AVG050MFBJ.pdf | ||
C0805C101G2GACTU | 100pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C101G2GACTU.pdf | ||
RCP0603B1K10JWB | RES SMD 1.1K OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B1K10JWB.pdf | ||
H4562RBCA | RES 562 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H4562RBCA.pdf | ||
0603LS-102EJFS | 0603LS-102EJFS COILCRAFT SMD or Through Hole | 0603LS-102EJFS.pdf | ||
AV100-2000/SP1 | AV100-2000/SP1 LEM SMD or Through Hole | AV100-2000/SP1.pdf | ||
MR401 | MR401 ORIGINAL DIP | MR401.pdf | ||
DVC5402PGE200 | DVC5402PGE200 TI QFP | DVC5402PGE200.pdf | ||
ST16C650ACQ48-F | ST16C650ACQ48-F Exar QFP48 | ST16C650ACQ48-F.pdf | ||
L-103IDT | L-103IDT ORIGINAL SMD or Through Hole | L-103IDT.pdf | ||
18K(1802)±1%1206 | 18K(1802)±1%1206 ORIGINAL SMD or Through Hole | 18K(1802)±1%1206.pdf | ||
AMS317CM-1.8 | AMS317CM-1.8 AMS TO-263 | AMS317CM-1.8.pdf |