창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAW56,215 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAV756S, BAW56 | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 Datasheet Update 09/Feb/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Leadframe Suppliers SOT23 31/Aug/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1503 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 90V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 215mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 4ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 80V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-1626-2 933098990215 BAW56 T/R BAW56215 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAW56,215 | |
| 관련 링크 | BAW56, BAW56,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | EKYB350ELL821MJ25S | 820µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | EKYB350ELL821MJ25S.pdf | |
![]() | 416F37023ITT | 37MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37023ITT.pdf | |
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![]() | FZQS | FZQS ORIGINAL 3SOT23 | FZQS.pdf | |
![]() | QMV190BT | QMV190BT ORIGINAL SMD or Through Hole | QMV190BT.pdf | |
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![]() | XCS10XL-4TQ144C AKP | XCS10XL-4TQ144C AKP XILINX QFP | XCS10XL-4TQ144C AKP.pdf | |
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![]() | SC414425F1 | SC414425F1 MOTO PQFP208 | SC414425F1.pdf | |
![]() | WSL2010R0100FTB | WSL2010R0100FTB VISHAY SMD or Through Hole | WSL2010R0100FTB.pdf | |
![]() | GU70N03 | GU70N03 GTM TO-263 | GU70N03.pdf |