창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAW156E6327HTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAW156 | |
PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 1.5µs | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5nA @ 75V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BAW 156 E6327 BAW 156 E6327-ND BAW 156 E6327TR-ND BAW156E6327 BAW156E6327BTSA1 BAW156E6327XT SP000010327 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAW156E6327HTSA1 | |
관련 링크 | BAW156E63, BAW156E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | GRM1555C2A3R3CA01D | 3.3pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C2A3R3CA01D.pdf | |
![]() | SMCG5631/TR13 | TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC DO215AB | SMCG5631/TR13.pdf | |
![]() | 9401210000 | VARISTOR 22V 2KA CHASSIS | 9401210000.pdf | |
![]() | Y078615K8000F9L | RES 15.8K OHM 0.6W 1% RADIAL | Y078615K8000F9L.pdf | |
![]() | 63S881NS | 63S881NS MMI DIP24 | 63S881NS.pdf | |
![]() | MBM2732A-25 | MBM2732A-25 ORIGINAL SMD or Through Hole | MBM2732A-25.pdf | |
![]() | PT5082 | PT5082 PULSE SOP | PT5082.pdf | |
![]() | LQP31A6N8J04M | LQP31A6N8J04M MARATA SMD or Through Hole | LQP31A6N8J04M.pdf | |
![]() | CL31C820JGFNCN | CL31C820JGFNCN ORIGINAL SMD or Through Hole | CL31C820JGFNCN.pdf | |
![]() | EPM7512BBC256-7N | EPM7512BBC256-7N ALTERA BGA | EPM7512BBC256-7N.pdf | |
![]() | MBI5039GFN | MBI5039GFN MACROBLOCK-PbFREE QFN24 | MBI5039GFN.pdf | |
![]() | STI5250ZYB | STI5250ZYB ST SMD or Through Hole | STI5250ZYB.pdf |