창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAW101V-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAW101V | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 325V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 250mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 50ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 150nA @ 250V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | SOT-563 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BAW101V-7DITR BAW101V7 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAW101V-7 | |
관련 링크 | BAW10, BAW101V-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
EVB-PRM211-R | BOARD EVAL LT1110 RS232 | EVB-PRM211-R.pdf | ||
E3FA-DP23 | PLSTCM18,DIFF,1M,AX,PNP,CONN | E3FA-DP23.pdf | ||
P51-300-G-E-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-G-E-I36-4.5V-000-000.pdf | ||
TBJC336K004CRLB9H00 | TBJC336K004CRLB9H00 AVX SMD | TBJC336K004CRLB9H00.pdf | ||
B72205S111K101V57 | B72205S111K101V57 EPCOS 1000BULK | B72205S111K101V57.pdf | ||
PQ1U151M2ZPH | PQ1U151M2ZPH SHARP SOT-23-5 | PQ1U151M2ZPH.pdf | ||
BSH105/PJ5 | BSH105/PJ5 PHI SMD or Through Hole | BSH105/PJ5.pdf | ||
NFA3216G2C100R101T1M00-66/T258(NFA31GD10 | NFA3216G2C100R101T1M00-66/T258(NFA31GD10 MuRata 1206 | NFA3216G2C100R101T1M00-66/T258(NFA31GD10.pdf | ||
TMP95FW80AF | TMP95FW80AF TOSHIBA QFP | TMP95FW80AF.pdf | ||
GDZ2V0B-V | GDZ2V0B-V VISHAY SOD-80 | GDZ2V0B-V.pdf | ||
PKM4518BAPILA | PKM4518BAPILA ERI PWRMD | PKM4518BAPILA.pdf | ||
C2681AC1N28,112 | C2681AC1N28,112 NXP SMD or Through Hole | C2681AC1N28,112.pdf |