창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAV756S,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAV756S, BAW56 | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 Copper Bond Wire 01/Nov/2014 Copper Bond Wire 29/Nov/2014 Datasheet Update 09/Feb/2015 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | CA + CC 2쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 90V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 250mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 4ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 80V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-6032-2 934052910115 BAV756S T/R BAV756S T/R-ND BAV756S,115-ND BAV756S115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAV756S,115 | |
관련 링크 | BAV756, BAV756S,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
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![]() | 2000-180-H-RC | 18µH Unshielded Toroidal Inductor 4.5A 32 mOhm Max Radial | 2000-180-H-RC.pdf | |
![]() | ERJ-8GEYJ111V | RES SMD 110 OHM 5% 1/4W 1206 | ERJ-8GEYJ111V.pdf | |
![]() | H439R2BDA | RES 39.2 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H439R2BDA.pdf | |
![]() | SGM2017-1.8XN5/TR | SGM2017-1.8XN5/TR SGMICRO SMD or Through Hole | SGM2017-1.8XN5/TR.pdf | |
![]() | EMC3 | EMC3 ROHM SMD or Through Hole | EMC3.pdf | |
![]() | BTA12/800B | BTA12/800B STMICROELECTRONIC SMD or Through Hole | BTA12/800B.pdf | |
![]() | L-119SRSGWT-CC | L-119SRSGWT-CC KIBGBRIGHT ROHS | L-119SRSGWT-CC.pdf | |
![]() | UGN3212 | UGN3212 ALLEGRO T0-92S | UGN3212.pdf |