창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAV70-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAV70 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 22/Sept/2008 Green Encapsulate 15/May/2008 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1591 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 75V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 150mA | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | 4ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2.5µA @ 75V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BAV70-FDITR BAV707F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAV70-7-F | |
| 관련 링크 | BAV70, BAV70-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
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![]() | BQ29414PW | BQ29414PW TI TSSOP-8 | BQ29414PW.pdf | |
![]() | MU509-G | MU509-G HUAWEI QFN | MU509-G.pdf | |
![]() | UNL2003D1 | UNL2003D1 ST SOIC3.9 | UNL2003D1.pdf | |
![]() | LM27152R | LM27152R HTC/KOREA TO-2635L | LM27152R.pdf | |
![]() | HV16T-2F | HV16T-2F MAGNUM CAN4 | HV16T-2F.pdf | |
![]() | D10/CRCW0402100442R1%E | D10/CRCW0402100442R1%E Vishay SMD or Through Hole | D10/CRCW0402100442R1%E.pdf | |
![]() | CL05C120JC51PN | CL05C120JC51PN SAMSUNG SMD | CL05C120JC51PN.pdf |