창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAV23C-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAV23A, C, S | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 | |
| PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1591 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 200mA | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 50ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 200V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BAV23C-FDITR BAV23C7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAV23C-7-F | |
| 관련 링크 | BAV23C, BAV23C-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D470MXXAC | 47pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D470MXXAC.pdf | |
![]() | TZX36A-TAP | DIODE ZENER 36V 500MW DO35 | TZX36A-TAP.pdf | |
![]() | 2256R-30J | 270µH Unshielded Molded Inductor 470mA 1.77 Ohm Max Axial | 2256R-30J.pdf | |
![]() | CMF5022R100DHBF | RES 22.1 OHM 1/4W .5% AXIAL | CMF5022R100DHBF.pdf | |
![]() | ENV5ESX50B13 | ENV5ESX50B13 PAN SMD or Through Hole | ENV5ESX50B13.pdf | |
![]() | RD2V686M1631M | RD2V686M1631M SAMWHA SMD or Through Hole | RD2V686M1631M.pdf | |
![]() | QK1-3275-03 | QK1-3275-03 NEC TSOP | QK1-3275-03.pdf | |
![]() | 932S401EG | 932S401EG ICS SSOP | 932S401EG.pdf | |
![]() | UR615C | UR615C Intersil TO-252 | UR615C.pdf | |
![]() | 7261CB 27M00000 | 7261CB 27M00000 ORIGINAL JINZHEN4 | 7261CB 27M00000.pdf |