창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAV170E6327HTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAV170 | |
PCN 단종/ EOL | Multi Device EOL 4/Feb/2016 | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 1.5µs | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5nA @ 75V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BAV 170 E6327 BAV170E6327 BAV170E6327BTSA1 BAV170E6327XT BAV170INTR BAV170INTR-ND BAV170XTINTR BAV170XTINTR-ND SP000010325 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAV170E6327HTSA1 | |
관련 링크 | BAV170E63, BAV170E6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 445I33A20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 10pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I33A20M00000.pdf | |
![]() | 416F44012ITR | 44MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F44012ITR.pdf | |
![]() | CF12JB36R0 | CARBON FILM 0.5W 5% 36 OHM | CF12JB36R0.pdf | |
![]() | CMF652M4900FEEB | RES 2.49M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF652M4900FEEB.pdf | |
![]() | MP501686 | MP501686 BCTINT SMD or Through Hole | MP501686.pdf | |
![]() | LP2964ET-3.3 | LP2964ET-3.3 NS SMD or Through Hole | LP2964ET-3.3.pdf | |
![]() | TM1S6-M0 | TM1S6-M0 PANDUIT SMD or Through Hole | TM1S6-M0.pdf | |
![]() | 372CDR | 372CDR TI DIPSOP | 372CDR.pdf | |
![]() | RM35HG-34S | RM35HG-34S MITSUBISHI SMD or Through Hole | RM35HG-34S.pdf | |
![]() | RH-IX3063YAZZ | RH-IX3063YAZZ SHARP QFP | RH-IX3063YAZZ.pdf | |
![]() | UPD7516HG-582 | UPD7516HG-582 NEC QFP | UPD7516HG-582.pdf | |
![]() | SBZC490-23WP | SBZC490-23WP ONSEMI WAFER-PACK-SBN | SBZC490-23WP.pdf |