창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAT85,113 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAT85 | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1504 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 200mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 800mV @ 100mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 4ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 25V | |
정전 용량 @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AG, DO-34, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-34 | |
작동 온도 - 접합 | 125°C(최대) | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-1617-2 933624760113 BAT85 T/R | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAT85,113 | |
관련 링크 | BAT85, BAT85,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | C1005JB1C474M050BC | 0.47µF 16V 세라믹 커패시터 JB 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005JB1C474M050BC.pdf | |
![]() | 1N6011D | DIODE ZENER 30V 500MW DO35 | 1N6011D.pdf | |
![]() | 5500-153K | 15µH Unshielded Inductor 7.05A 20 mOhm Max 2-SMD | 5500-153K.pdf | |
![]() | HM77-26006LFTR | 16.1µH Unshielded Toroidal Inductor 5.1A 32 mOhm Max Nonstandard | HM77-26006LFTR.pdf | |
![]() | 4116R-1-102LF | RES ARRAY 8 RES 1K OHM 16DIP | 4116R-1-102LF.pdf | |
![]() | 0805N820G500LC | 0805N820G500LC ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805N820G500LC.pdf | |
![]() | ISS181 | ISS181 ORIGINAL SOT23 | ISS181.pdf | |
![]() | SKM150GB128 | SKM150GB128 ORIGINAL IC | SKM150GB128.pdf | |
![]() | MIGS201209-2R2K | MIGS201209-2R2K CN O805 | MIGS201209-2R2K.pdf | |
![]() | UPG158TB-E3(G1M) | UPG158TB-E3(G1M) NEC SMD or Through Hole | UPG158TB-E3(G1M).pdf | |
![]() | SI5447DC-T1-GE3 | SI5447DC-T1-GE3 VISHAY SMD or Through Hole | SI5447DC-T1-GE3.pdf | |
![]() | NCP3064BDR | NCP3064BDR ON SOP-8 | NCP3064BDR.pdf |