창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAS516,135 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAS16 Series | |
| PCN 설계/사양 | BAS Data Sheet Update 22/Aug/2014 BAS516 In SOD523 (SC-79) Pkg Wafer Size Change 27/Oct/2015 Process Chg 15/Dec/2015 BAS516 SOD523 Wafer Size Chg Rev 7/Mar/2016 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 250mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 150mA | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 4ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 80V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
| 작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 568-8200-2 934055217135 BAS516 /T3 BAS516 /T3-ND BAS516,135-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAS516,135 | |
| 관련 링크 | BAS516, BAS516,135 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
| LNK2G472MSEH | 4700µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 5000 Hrs @ 85°C | LNK2G472MSEH.pdf | ||
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![]() | CW010250R0KE123 | RES 250 OHM 13W 10% AXIAL | CW010250R0KE123.pdf | |
![]() | SSN16A1002BQ | SSN16A1002BQ BI SMD or Through Hole | SSN16A1002BQ.pdf | |
![]() | TNPW08051K10BHEA | TNPW08051K10BHEA VISHAY SMD | TNPW08051K10BHEA.pdf | |
![]() | DNX32-32.000MHz | DNX32-32.000MHz ORIGINAL SMD or Through Hole | DNX32-32.000MHz.pdf | |
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![]() | RAM-40.026 | RAM-40.026 ORIGINAL SMD or Through Hole | RAM-40.026.pdf | |
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