창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAS40-06-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAS40, -04, -05, -06 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 | |
| PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1593 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 40mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | 5ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 200nA @ 30V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BAS40-06-FDITR BAS40-06-FDITR-ND BAS40-06FDITR BAS40067F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAS40-06-7-F | |
| 관련 링크 | BAS40-0, BAS40-06-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | Y006221K0000B0L | RES 21K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y006221K0000B0L.pdf | |
![]() | 74AC11002 | 74AC11002 ORIGINAL SOP16 | 74AC11002.pdf | |
![]() | TBA820Y | TBA820Y ORIGINAL SMD or Through Hole | TBA820Y.pdf | |
![]() | SST39VF400A-70-4C-B3 | SST39VF400A-70-4C-B3 SST BGA | SST39VF400A-70-4C-B3.pdf | |
![]() | SC415120FN | SC415120FN MOT PLCC | SC415120FN.pdf | |
![]() | FS8856-33PI | FS8856-33PI FORTUNE SOT-89 | FS8856-33PI.pdf | |
![]() | ABDG-ET-DP101-G | ABDG-ET-DP101-G Quatech SMD or Through Hole | ABDG-ET-DP101-G.pdf | |
![]() | TLP736 | TLP736 TOS DIP6 | TLP736.pdf | |
![]() | U3550BM | U3550BM N/A SOP | U3550BM.pdf | |
![]() | TLPGU62T(F) | TLPGU62T(F) TOSHIBA ROHS | TLPGU62T(F).pdf | |
![]() | S10C5021FN | S10C5021FN ORIGINAL PLCC52 | S10C5021FN.pdf | |
![]() | APU1852 | APU1852 APEC TR | APU1852.pdf |