창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAS40-04,215 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAS40,1PSxxSB4x Series | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 SOT23 Package Assembly Material Update 11/Sep/2014 Copper Bond Wire 08/Nov/2014 Datasheet Update 09/Feb/2015 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1504 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 직렬 연결 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 40V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 120mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 40mA | |
| 속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 40V | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-1602-2 933661850215 BAS40-04 T/R BAS4004215 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAS40-04,215 | |
| 관련 링크 | BAS40-0, BAS40-04,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | Y1624330R000T9W | RES SMD 330 OHM 0.01% 1/5W 0805 | Y1624330R000T9W.pdf | |
![]() | TBL-1608-245-M2 | RF Balun 2.4GHz ~ 2.5GHz 50 / 100 Ohm 0603 (1608 Metric) | TBL-1608-245-M2.pdf | |
![]() | CY23EP09SXC-IH | CY23EP09SXC-IH CY SOP | CY23EP09SXC-IH.pdf | |
![]() | ADSP-1008ASD/883B | ADSP-1008ASD/883B AD DIP | ADSP-1008ASD/883B.pdf | |
![]() | 100EL57DR | 100EL57DR MICREL SMD or Through Hole | 100EL57DR.pdf | |
![]() | 216MPA4AKA22HK HG | 216MPA4AKA22HK HG ORIGINAL SMD or Through Hole | 216MPA4AKA22HK HG.pdf | |
![]() | 6.8UF6.3V20% | 6.8UF6.3V20% EPC B | 6.8UF6.3V20%.pdf | |
![]() | BSTQ63120N | BSTQ63120N SIEMENS Module | BSTQ63120N.pdf | |
![]() | THS6032IVFPRG4 | THS6032IVFPRG4 TI SMD or Through Hole | THS6032IVFPRG4.pdf |