NXP Semiconductors BAS321,115
- 제조업체 부품 번호
- BAS321,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOD323
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BAS321,115 가격 및 조달
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14550 조각
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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BAS321,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BAS321,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAS321 | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 Copper Bond Wire 26/Oct/2013 Copper Bond Wire 14/Dec/2013 | |
| PCN 조립/원산지 | Carrier Tape Design Chg 03/May/2016 Assembly Process Chg 7/Jul/2016 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 250mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 200mA | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 50ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 200V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOD323-2 | |
| 작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-6002-2 934055352115 BAS321 T/R BAS321 T/R-ND BAS321,115-ND BAS321115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAS321,115 | |
| 관련 링크 | BAS321, BAS321,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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