창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-BAS21T T3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | BAS21T T3 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SOT-523 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | BAS21T T3 | |
관련 링크 | BAS21T, BAS21T T3 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | 1.5KA11AHE3/73 | TVS DIODE 9.4VWM 15.6VC 1.5KA | 1.5KA11AHE3/73.pdf | |
![]() | 9C08000093 | 8MHz ±30ppm 수정 20pF -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 9C08000093.pdf | |
![]() | SIT3808AI-D-28SZ | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA Standby | SIT3808AI-D-28SZ.pdf | |
![]() | VS-10TQ045S-M3 | DIODE | VS-10TQ045S-M3.pdf | |
![]() | SP1210-103J | 10µH Shielded Wirewound Inductor 464mA 960 mOhm Max Nonstandard | SP1210-103J.pdf | |
![]() | SP1812R-563J | 56µH Shielded Inductor 323mA 1.9 Ohm Max Nonstandard | SP1812R-563J.pdf | |
![]() | 502430-5010 | 502430-5010 MOLEX SMD or Through Hole | 502430-5010.pdf | |
![]() | HL22E181MRXPF | HL22E181MRXPF HITACHI SMD | HL22E181MRXPF.pdf | |
![]() | 2SK4108(STA1.E.S) | 2SK4108(STA1.E.S) TOSHIBA SMDDIP | 2SK4108(STA1.E.S).pdf | |
![]() | ST9013G | ST9013G ORIGINAL TO-92 | ST9013G.pdf | |
![]() | J920F323 | J920F323 ORIGINAL SMD or Through Hole | J920F323.pdf | |
![]() | MB602R47 | MB602R47 ORIGINAL SMD or Through Hole | MB602R47.pdf |