창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAS19,215 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAS19-21 | |
PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Process Chg 7/Jul/2016 | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1504 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 -평균 정류(Io) | 200mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.25V @ 200mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 50ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 100V | |
정전 용량 @ Vr, F | 5pF @ 0V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-4860-2 933502020215 BAS19 T/R BAS19 T/R-ND BAS19,215-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAS19,215 | |
관련 링크 | BAS19, BAS19,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
IMC1812ERR18K | 180nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 350 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ERR18K.pdf | ||
HMC1030LP5E | RF Detector IC General Purpose 0Hz ~ 3.9GHz -55dBm ~ 15dBm ±1dB 24-VFQFN Exposed Pad | HMC1030LP5E.pdf | ||
LTV-357TB | LTV-357TB LITE-ON SOP-4 | LTV-357TB.pdf | ||
78601/3C | 78601/3C muRataPS DIP4 | 78601/3C.pdf | ||
74F595D | 74F595D PHI SOP3.9MM | 74F595D.pdf | ||
GK2214 | GK2214 MICREL DFN-10 | GK2214.pdf | ||
ELM77222A-S(N) | ELM77222A-S(N) ELM SOT-25 | ELM77222A-S(N).pdf | ||
CIB41P800NEM | CIB41P800NEM SAMSUNG SMD or Through Hole | CIB41P800NEM.pdf | ||
MAX505EAG | MAX505EAG MAXIM SOP | MAX505EAG.pdf | ||
SG8002JC39. | SG8002JC39. ORIGINAL SMD or Through Hole | SG8002JC39..pdf | ||
K6X4016V3CTF70 | K6X4016V3CTF70 SAMSUNG TSOP | K6X4016V3CTF70.pdf |