창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAS101,215 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAS101(S) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 300V | |
전류 -평균 정류(Io) | 200mA(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 50ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 150nA @ 250V | |
정전 용량 @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-11994-2-ND 934060848215 BAS101,215-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAS101,215 | |
관련 링크 | BAS101, BAS101,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | CK45-B3AD102KYNR | 1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 B 방사형, 디스크 0.236" Dia(6.00mm) | CK45-B3AD102KYNR.pdf | |
![]() | MKP385313100JDA2B0 | 0.013µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | MKP385313100JDA2B0.pdf | |
![]() | GL040F33CET | 4MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GL040F33CET.pdf | |
![]() | B82432T1224K000 | B82432T1224K000 EPCOS SMD | B82432T1224K000.pdf | |
![]() | B330G | B330G N/A SMD or Through Hole | B330G.pdf | |
![]() | SDA5523A002 | SDA5523A002 MIC DIP | SDA5523A002.pdf | |
![]() | MT29F2G08ABBEAHC:E | MT29F2G08ABBEAHC:E MICRON NA | MT29F2G08ABBEAHC:E.pdf | |
![]() | 509-0015 | 509-0015 ORIGINAL CAN | 509-0015.pdf | |
![]() | E5FA24.5760F20E33 | E5FA24.5760F20E33 ORIGINAL SMD | E5FA24.5760F20E33.pdf | |
![]() | HD74HC000P-E | HD74HC000P-E ORIGINAL SMD or Through Hole | HD74HC000P-E.pdf | |
![]() | F.4539BPC | F.4539BPC ORIGINAL DIP-16 | F.4539BPC.pdf | |
![]() | AS0A626-UARN-7F | AS0A626-UARN-7F FOXCONN SMD or Through Hole | AS0A626-UARN-7F.pdf |