창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAR8802VH6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAR88 | |
| PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 80V | |
| 전류 - 최대 | 100mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.4pF @ 1V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | 600m옴 @ 10mA, 100MHz | |
| 내전력(최대) | 250mW | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SC79-2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BAR 88-02V H6327 BAR 88-02V H6327-ND BAR 88-02V H6327TR-ND BAR8802VH6327 BAR8802VH6327XTSA1TR SP000743452 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAR8802VH6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | BAR8802VH6, BAR8802VH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CDV30EK430JO3F | MICA | CDV30EK430JO3F.pdf | |
![]() | 066201.6ZRLL | FUSE BOARD MOUNT 1.6A 250VAC RAD | 066201.6ZRLL.pdf | |
![]() | 160-392HS | 3.9µH Unshielded Inductor 290mA 1.5 Ohm Max 2-SMD | 160-392HS.pdf | |
![]() | MCR18EZHF6043 | RES SMD 604K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF6043.pdf | |
![]() | NEC2270A | NEC2270A NEC SOP-8 | NEC2270A.pdf | |
![]() | MUN5235DW1T1G- | MUN5235DW1T1G- ON SOT-6 | MUN5235DW1T1G-.pdf | |
![]() | 72V263L7-5PF | 72V263L7-5PF IDT SMD or Through Hole | 72V263L7-5PF.pdf | |
![]() | AM29DL400BT70EI | AM29DL400BT70EI AMD TSOP | AM29DL400BT70EI.pdf | |
![]() | MMBZ10VALT1 | MMBZ10VALT1 ON SOT-23 | MMBZ10VALT1.pdf | |
![]() | S-80830ANNP-EDT-T2G | S-80830ANNP-EDT-T2G SEIKO SMD or Through Hole | S-80830ANNP-EDT-T2G.pdf | |
![]() | RD5.1E-AZ/B2 | RD5.1E-AZ/B2 NEC SMD or Through Hole | RD5.1E-AZ/B2.pdf | |
![]() | LT1121CN8-5#PBF | LT1121CN8-5#PBF LINEARTECHNOLOGY 8-DIP 300 | LT1121CN8-5#PBF.pdf |