창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAR81WH6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAR81 | |
PCN 설계/사양 | Diode Pad Design Chg 22/Jul/2016 | |
PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 - 단일 | |
전압 - 피크 역(최대) | 30V | |
전류 - 최대 | 100mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.9pF @ 3V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 1옴 @ 5mA, 100MHz | |
내전력(최대) | 100mW | |
패키지/케이스 | SC-82A, SOT-343 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT343-4 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BAR 81W H6327 BAR 81W H6327-ND BAR 81W H6327TR-ND BAR81WH6327XTSA1TR SP000743450 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAR81WH6327XTSA1 | |
관련 링크 | BAR81WH63, BAR81WH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SMA5133 | MOSFET 3N/3P-CH 500V 2.5A 12-SIP | SMA5133.pdf | ||
RMCF2010FT374R | RES SMD 374 OHM 1% 3/4W 2010 | RMCF2010FT374R.pdf | ||
ES25U05-P1J | ES25U05-P1J MEAN WELL SMD or Through Hole | ES25U05-P1J.pdf | ||
TC74VHC540F | TC74VHC540F TOS SOP5.2 | TC74VHC540F.pdf | ||
M4082BP | M4082BP MIT DIP-14 | M4082BP.pdf | ||
UPA1901E-T1-A | UPA1901E-T1-A NEC SOT163 | UPA1901E-T1-A.pdf | ||
LNW2W152MSMF | LNW2W152MSMF nichicon SMD or Through Hole | LNW2W152MSMF.pdf | ||
TLP180(TPR) | TLP180(TPR) Toshiba SMD or Through Hole | TLP180(TPR).pdf | ||
RD12FM-T1(B) | RD12FM-T1(B) NEC STOCK | RD12FM-T1(B).pdf | ||
NMC0603NPO331J50TRP10 | NMC0603NPO331J50TRP10 NIC SMD or Through Hole | NMC0603NPO331J50TRP10.pdf | ||
AT1203-15E_GER | AT1203-15E_GER ORIGINAL SC70-5 | AT1203-15E_GER.pdf | ||
RC0402JR-07750RL 0402 750R | RC0402JR-07750RL 0402 750R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC0402JR-07750RL 0402 750R.pdf |