창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BAR6303WE6327HTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BAR63 | |
| PCN 설계/사양 | Diode Pad Design Chg 22/Jul/2016 | |
| PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
| 카탈로그 페이지 | 520 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 다이오드 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 핀 - 단일 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 50V | |
| 전류 - 최대 | 100mA | |
| 정전 용량 @ Vr, F | 0.3pF @ 5V, 1MHz | |
| 저항 @ If, F | 1옴 @ 10mA, 100MHz | |
| 내전력(최대) | 250mW | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOD323-2 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BAR 63-03W E6327 BAR 63-03W E6327-ND BAR63-03WE6327INTR BAR63-03WE6327INTR-ND BAR6303WE6327 BAR6303WE6327BTSA1 BAR6303WE6327HTSA1TR BAR6303WE6327XT SP000010172 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BAR6303WE6327HTSA1 | |
| 관련 링크 | BAR6303WE6, BAR6303WE6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ERA-6AEB97R6V | RES SMD 97.6 OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB97R6V.pdf | |
![]() | AT1206CRD0713K3L | RES SMD 13.3KOHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD0713K3L.pdf | |
![]() | MCP1525-I/ST | MCP1525-I/ST MICROCHIP SMD DIP | MCP1525-I/ST.pdf | |
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![]() | B0541PNK | B0541PNK INTERSIL QFN | B0541PNK.pdf | |
![]() | NTC-L157M10TRC2F | NTC-L157M10TRC2F NICC SMT | NTC-L157M10TRC2F.pdf | |
![]() | EN29LV640B-90TP | EN29LV640B-90TP ENTRONIC TSOP | EN29LV640B-90TP.pdf | |
![]() | B59850-C80-A70(PTCC850) | B59850-C80-A70(PTCC850) EPCOS SMD or Through Hole | B59850-C80-A70(PTCC850).pdf | |
![]() | RD28F2230WW | RD28F2230WW INTEL BGA | RD28F2230WW.pdf | |
![]() | 420VXG180M30X25 | 420VXG180M30X25 RUBYCON DIP | 420VXG180M30X25.pdf | |
![]() | INA103KU.. | INA103KU.. TI/BB SOIC-16 | INA103KU...pdf |