창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAP50-04W,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAP50-04W | |
제품 교육 모듈 | RF Small Signal Products Part 1 RF Small Signal Products Part 2 | |
PCN 조립/원산지 | PIN diode transfer 22/Jul/2013 Wafer Manufacturing Transfer 24/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1505 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 핀 - 1 쌍의 직렬연결자 | |
전압 - 피크 역(최대) | 50V | |
전류 - 최대 | 50mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.5pF @ 5V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 5옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | 240mW | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-1918-2 934056532115 BAP50-04W T/R | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAP50-04W,115 | |
관련 링크 | BAP50-0, BAP50-04W,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
D332K29Y5PH6VJ5R | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | D332K29Y5PH6VJ5R.pdf | ||
C2225C273J5GACTU | 0.027µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.221" L x 0.252" W(5.60mm x 6.40mm) | C2225C273J5GACTU.pdf | ||
SIT8008AI-71-18E-98.280000E | OSC XO 1.8V 98.28MHZ OE | SIT8008AI-71-18E-98.280000E.pdf | ||
FAR-F5EB-94 | FAR-F5EB-94 FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-F5EB-94.pdf | ||
AD53033XSTP | AD53033XSTP AD QFP | AD53033XSTP.pdf | ||
CWT12AAS1 | CWT12AAS1 NKK SMD or Through Hole | CWT12AAS1.pdf | ||
PMC121 | PMC121 Panasonic SIP20 | PMC121.pdf | ||
AP87006-63 | AP87006-63 ORIGINAL SMD or Through Hole | AP87006-63.pdf | ||
NSP3054 | NSP3054 NSC TO-220 | NSP3054.pdf | ||
KM616V1000BLTI-5L | KM616V1000BLTI-5L SEC TSOP | KM616V1000BLTI-5L.pdf | ||
BAT85/FT,113 | BAT85/FT,113 NXP SOD68 | BAT85/FT,113.pdf |