창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BAP50-04W,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BAP50-04W | |
제품 교육 모듈 | RF Small Signal Products Part 1 RF Small Signal Products Part 2 | |
PCN 조립/원산지 | PIN diode transfer 22/Jul/2013 Wafer Manufacturing Transfer 24/Dec/2013 | |
PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1505 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 핀 - 1 쌍의 직렬연결자 | |
전압 - 피크 역(최대) | 50V | |
전류 - 최대 | 50mA | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.5pF @ 5V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 5옴 @ 10mA, 100MHz | |
내전력(최대) | 240mW | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-1918-2 934056532115 BAP50-04W T/R | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BAP50-04W,115 | |
관련 링크 | BAP50-0, BAP50-04W,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | CMR08F753JPAP | CMR MICA | CMR08F753JPAP.pdf | |
![]() | CRCW06030000Z0EC | RES SMD 0.0OHM JUMPER 1/10W 0603 | CRCW06030000Z0EC.pdf | |
![]() | RG1608N-753-W-T5 | RES SMD 75K OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608N-753-W-T5.pdf | |
![]() | RN73C1J1K05BTG | RES SMD 1.05KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J1K05BTG.pdf | |
![]() | MDF10N60TH | MDF10N60TH Magnachip TO-220 | MDF10N60TH.pdf | |
![]() | tb62201afg-el | tb62201afg-el tos SMD or Through Hole | tb62201afg-el.pdf | |
![]() | F31144 | F31144 ORIGINAL BGA | F31144.pdf | |
![]() | TMCP0G226MTRF(4V/22u | TMCP0G226MTRF(4V/22u HITACHI SMD or Through Hole | TMCP0G226MTRF(4V/22u.pdf | |
![]() | 131004BDA | 131004BDA NS/TI SMD or Through Hole | 131004BDA.pdf | |
![]() | LM258BP | LM258BP TI DIP | LM258BP.pdf | |
![]() | TR3D157M016E0100 | TR3D157M016E0100 VISHAY SMD | TR3D157M016E0100.pdf | |
![]() | CTB08-600B | CTB08-600B CRYDOM TO-220 | CTB08-600B.pdf |