창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B82477P2683M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B82477P2 Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
| 제품군 | 고정 인덕터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B82477P2 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 유형 | 권선 | |
| 소재 - 코어 | 페라이트 | |
| 유도 용량 | 68µH | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전류 | 1.85A | |
| 전류 - 포화 | 1.5A | |
| 차폐 | 차폐 | |
| DC 저항(DCR) | 110m옴최대 | |
| Q @ 주파수 | - | |
| 주파수 - 자기 공진 | - | |
| 등급 | AEC-Q200 | |
| 작동 온도 | - | |
| 주파수 - 테스트 | 100kHz | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 비표준 | |
| 크기/치수 | 0.492" L x 0.492" W(12.50mm x 12.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.256"(6.50mm) | |
| 표준 포장 | 600 | |
| 다른 이름 | B82477P2683M000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B82477P2683M | |
| 관련 링크 | B82477P, B82477P2683M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | SMBJ3V3-E3/52 | TVS DIODE 3.3VWM 10.3VC SMB | SMBJ3V3-E3/52.pdf | |
![]() | ATS060CSM-1E | 6MHz ±30ppm 수정 32pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ATS060CSM-1E.pdf | |
![]() | 445I32B27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I32B27M00000.pdf | |
![]() | RCP2512B220RGTP | RES SMD 220 OHM 2% 22W 2512 | RCP2512B220RGTP.pdf | |
![]() | Q853E | Q853E FREE SMD or Through Hole | Q853E.pdf | |
![]() | 75ALS162DW | 75ALS162DW TI SMD | 75ALS162DW.pdf | |
![]() | KA2287 | KA2287 SANYO ZIP | KA2287.pdf | |
![]() | 1SS308(TE85L,F) | 1SS308(TE85L,F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 1SS308(TE85L,F).pdf | |
![]() | ADM3485JNZ | ADM3485JNZ AD DIP8 | ADM3485JNZ.pdf | |
![]() | RHN-80/M4 | RHN-80/M4 ORIGINAL SMD or Through Hole | RHN-80/M4.pdf | |
![]() | ECKN3F121KBP | ECKN3F121KBP ORIGINAL DIP | ECKN3F121KBP.pdf |