창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B72210S461K331 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B722 Series, StandarD | |
제품 교육 모듈 | Circuit Protection Offering | |
주요제품 | TDK EPCOS Circuit Protection | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 675V | |
배리스터 전압(통상) | 750V | |
배리스터 전압(최대) | 825V | |
전류 - 서지 | 2.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 460VAC | |
최대 DC 전압 | 615VDC | |
에너지 | 50J | |
패키지/케이스 | 10mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | B72210S 461K331 B72210S0461K331 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B72210S461K331 | |
관련 링크 | B72210S4, B72210S461K331 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | STTH2R06U | DIODE GEN PURP 600V 2A SMB | STTH2R06U.pdf | |
![]() | FDD6N50TM_F085 | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK | FDD6N50TM_F085.pdf | |
![]() | CRCW12061R10FNEA | RES SMD 1.1 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12061R10FNEA.pdf | |
![]() | TA2150FNG | TA2150FNG TOSHIBA SSOP30 | TA2150FNG.pdf | |
![]() | ET1101 | ET1101 VISHAY DIP4 | ET1101.pdf | |
![]() | 400WAS1100M | 400WAS1100M STGCON() SMD or Through Hole | 400WAS1100M.pdf | |
![]() | A814AY-330M P3 | A814AY-330M P3 ORIGINAL SMD or Through Hole | A814AY-330M P3.pdf | |
![]() | CS4110-CS | CS4110-CS CRYSTAL SOP-44 | CS4110-CS.pdf | |
![]() | W29EE011P-90Z/W29EE011P-90 | W29EE011P-90Z/W29EE011P-90 WINBOND PLCC | W29EE011P-90Z/W29EE011P-90.pdf | |
![]() | LM2596T-12.0 | LM2596T-12.0 NS TO-220 | LM2596T-12.0.pdf | |
![]() | 0.036U | 0.036U ORIGINAL SMD or Through Hole | 0.036U.pdf | |
![]() | BCM56144LA1KFEBG | BCM56144LA1KFEBG BROADCOM SMD or Through Hole | BCM56144LA1KFEBG.pdf |