창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B72210S2551K501 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B722x Series, AdvanceD | |
제품 교육 모듈 | Circuit Protection Offering | |
주요제품 | TDK EPCOS Circuit Protection | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
배리스터 전압 | 819V | |
배리스터 전압(통상) | 910V | |
배리스터 전압(최대) | 1001V(1.001kV) | |
전류 - 서지 | 3.5kA | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 550VAC | |
최대 DC 전압 | 745VDC | |
에너지 | 90J | |
패키지/케이스 | 10mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B72210S2551K501 | |
관련 링크 | B72210S25, B72210S2551K501 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | 416F384X3IKR | 38.4MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384X3IKR.pdf | |
![]() | AA0805FR-071M58L | RES SMD 1.58M OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-071M58L.pdf | |
![]() | KAF-1001-AAA-CB-B2 | CCD Image Sensor 1024H x 1024V 24µm x 24µm 26-CDIP | KAF-1001-AAA-CB-B2.pdf | |
![]() | A827 | A827 AVAGO SOP8 | A827.pdf | |
![]() | HCM49-27.000MABJ-UT | HCM49-27.000MABJ-UT CITIZEN SMD or Through Hole | HCM49-27.000MABJ-UT.pdf | |
![]() | 6450160-3 | 6450160-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6450160-3.pdf | |
![]() | SM18CXC190 | SM18CXC190 WESTCODE SMD or Through Hole | SM18CXC190.pdf | |
![]() | 860040R10K | 860040R10K SEIE SMD or Through Hole | 860040R10K.pdf | |
![]() | TLV5606I | TLV5606I ORIGINAL SO-8 | TLV5606I.pdf | |
![]() | MINI 8P | MINI 8P ORIGINAL SMD or Through Hole | MINI 8P.pdf | |
![]() | D38999/26WE26SN COC. | D38999/26WE26SN COC. AMP SMD or Through Hole | D38999/26WE26SN COC..pdf | |
![]() | LT4HJ7805 | LT4HJ7805 LT QFN | LT4HJ7805.pdf |