창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B72210S1140K552 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B722 Series, StandarD | |
제품 교육 모듈 | Circuit Protection Offering | |
주요제품 | TDK EPCOS Circuit Protection | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 배리스터, MOV | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
배리스터 전압 | 19.8V | |
배리스터 전압(통상) | 22V | |
배리스터 전압(최대) | 24.2V | |
전류 - 서지 | 500A | |
회로 개수 | 1 | |
최대 AC 전압 | 14VAC | |
최대 DC 전압 | 16VDC | |
에너지 | 2.0J | |
패키지/케이스 | 10mm 디스크 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B72210S1140K552 | |
관련 링크 | B72210S11, B72210S1140K552 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
RT0805FRD075R1L | RES SMD 5.1 OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRD075R1L.pdf | ||
RG1608N-1962-W-T1 | RES SMD 19.6K OHM 1/10W 0603 | RG1608N-1962-W-T1.pdf | ||
E-TA2012 T 2DB N6 | RF Attenuator 2dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 2DB N6.pdf | ||
O7TIACG | O7TIACG ORIGINAL TSSOP8 | O7TIACG.pdf | ||
K6T1008C2E-DL7D | K6T1008C2E-DL7D SAMSUNG DIP | K6T1008C2E-DL7D.pdf | ||
2SC5543YA-TR | 2SC5543YA-TR HITACHI SOT523 | 2SC5543YA-TR.pdf | ||
LT1991ACDD/AI/CD/ID | LT1991ACDD/AI/CD/ID LT SMD or Through Hole | LT1991ACDD/AI/CD/ID.pdf | ||
PR280-18160-45RE-6V | PR280-18160-45RE-6V PME SMD or Through Hole | PR280-18160-45RE-6V.pdf | ||
X9511WSITI | X9511WSITI INTERISL SOP8 | X9511WSITI.pdf | ||
HEF4084BF | HEF4084BF PHI DIP | HEF4084BF.pdf | ||
EKMH451VSN820MP35T | EKMH451VSN820MP35T UCC NA | EKMH451VSN820MP35T.pdf | ||
HDMP-1687 REV 1.01 | HDMP-1687 REV 1.01 AGILENTEC SMD or Through Hole | HDMP-1687 REV 1.01.pdf |