창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B66335GX187 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | B66335GX187 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | B66335GX187 | |
| 관련 링크 | B66335, B66335GX187 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CX3225GB48000P0HPQCC | 48MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB48000P0HPQCC.pdf | |
![]() | 416F32033AKR | 32MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32033AKR.pdf | |
![]() | SIT8008BI-83-33E-32.000000T | OSC XO 3.3V 32MHZ OE | SIT8008BI-83-33E-32.000000T.pdf | |
![]() | AISC-1812H-821K-T | 820µH Unshielded Wirewound Inductor 60mA 16.8 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | AISC-1812H-821K-T.pdf | |
![]() | CRCW08053K24DHEAP | RES SMD 3.24K OHM 0.5% 1/8W 0805 | CRCW08053K24DHEAP.pdf | |
![]() | SE8117T18-LF-1.8V | SE8117T18-LF-1.8V SEI SMD or Through Hole | SE8117T18-LF-1.8V.pdf | |
![]() | 9491BM | 9491BM TELDVNE SMD or Through Hole | 9491BM.pdf | |
![]() | M3030RFCPGP(ROHS) | M3030RFCPGP(ROHS) MIT PLCC | M3030RFCPGP(ROHS).pdf | |
![]() | UPD65770GDE01 | UPD65770GDE01 NEC QFP | UPD65770GDE01.pdf | |
![]() | CY25701FLXCT | CY25701FLXCT CYPRESS SMD | CY25701FLXCT.pdf | |
![]() | TDA7553 | TDA7553 ST QFP-80 | TDA7553.pdf | |
![]() | 3-644617-5 (LF) | 3-644617-5 (LF) TYCO SMD or Through Hole | 3-644617-5 (LF).pdf |