창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-B65611T0250A048 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | B65611T0250A048 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | B65611T0250A048 | |
관련 링크 | B65611T02, B65611T0250A048 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | UES1V220MPM1TD | 22µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | UES1V220MPM1TD.pdf | |
F17723222200 | 0.022µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | F17723222200.pdf | ||
![]() | ST2012SB32768C0HPWBB | 32.768kHz ±20ppm 수정 7pF 90k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ST2012SB32768C0HPWBB.pdf | |
![]() | ASDMB-25.000MHZ-C-T | 25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASDMB-25.000MHZ-C-T.pdf | |
![]() | SI3483CDV-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP | SI3483CDV-T1-E3.pdf | |
![]() | GP1M009A060FH | MOSFET N-CH 600V 9A TO220F | GP1M009A060FH.pdf | |
![]() | RLZTE-11 20B | RLZTE-11 20B ROHM SMD or Through Hole | RLZTE-11 20B.pdf | |
![]() | LP311 | LP311 TEXAS SMD or Through Hole | LP311.pdf | |
![]() | FDVE0630-H-1R5M | FDVE0630-H-1R5M TOKO 6.77.43.0 | FDVE0630-H-1R5M.pdf | |
![]() | HSU229/K1/KI | HSU229/K1/KI HITACHI SMD or Through Hole | HSU229/K1/KI.pdf | |
![]() | 1.5SMCJ9.0C | 1.5SMCJ9.0C PANJIT SMCDO-214AB | 1.5SMCJ9.0C.pdf | |
![]() | MCP660T-E/ST | MCP660T-E/ST MICROCHIP 14 TSSOP 4.4mm T R | MCP660T-E/ST.pdf |