창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B612-2T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B-2(T) Series Solid State Power Switching Brochure B-2T Series, Circuit 1,2,3 & 5 Drawing | |
| 기타 관련 문서 | SCR Module Selection Guide Declaration of Conformity | |
| 3D 모델 | B-2T Series, Circuit 1,2,3 & 5.sat B-2T Series, Circuit 1,2,3 & 5.dwg B-2T Series, Circuit 1,2,3 & 5.stp | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | SCR - 모듈 | |
| 제조업체 | Crydom Co. | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 구조 | 브리지, 단상 - SCR/다이오드(레이아웃 1) | |
| SCR, 다이오드 개수 | SCR 2개, 다이오드 2개 | |
| 전압 - 오프 상태 | 600V | |
| 전류 - 게이트 트리거(Igt)(최대) | 80mA | |
| 전류 - 온 상태(It (AV))(최대) | - | |
| 전류 - 온 상태(It (RMS))(최대) | 42.5A(DC) | |
| 전류 - 비반복 서지 50, 60Hz(Itsm) | 600A @ 60Hz | |
| 전류 - 홀드(Ih)(최대) | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 모듈 | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B612-2T | |
| 관련 링크 | B612, B612-2T 데이터 시트, Crydom Co. 에이전트 유통 | |
![]() | 0034.1002 | FUSE GLASS 2A 250VAC 3AB 3AG | 0034.1002.pdf | |
![]() | ABM3B-30.000MHZ-10-1-U-T | 30MHz ±10ppm 수정 10pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3B-30.000MHZ-10-1-U-T.pdf | |
![]() | TNPW120628K0BEEN | RES SMD 28K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120628K0BEEN.pdf | |
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![]() | HMC436MS8 TEL:82766440 | HMC436MS8 TEL:82766440 HITTITE NA | HMC436MS8 TEL:82766440.pdf | |
![]() | IR2111PB | IR2111PB IR DIP8 | IR2111PB.pdf | |
![]() | 16C710T-04E/SO | 16C710T-04E/SO ORIGINAL SMD or Through Hole | 16C710T-04E/SO.pdf | |
![]() | BL-HG836G-TRB | BL-HG836G-TRB BRIGHTLED SMD or Through Hole | BL-HG836G-TRB.pdf | |
![]() | K6F2008U2E-YE70 | K6F2008U2E-YE70 MEMORY SMD | K6F2008U2E-YE70.pdf | |
![]() | S-80C51KBPH | S-80C51KBPH MHS PLCC-44 | S-80C51KBPH.pdf | |
![]() | LP3879SD-1.0/NOPB | LP3879SD-1.0/NOPB NSC 8-LLP | LP3879SD-1.0/NOPB.pdf | |
![]() | XM2C-0912 | XM2C-0912 OMRON SMD or Through Hole | XM2C-0912.pdf |