창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43888C5336M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43888 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43888 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 33µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | - | |
수명 @ 온도 | - | |
작동 온도 | - | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 1A @ 100kHz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
크기/치수 | 0.630" Dia(16.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 1.319"(33.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 600 | |
다른 이름 | B43888C5336M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43888C5336M | |
관련 링크 | B43888C, B43888C5336M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
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![]() | SI8232AB-D-IS1 | 500mA Gate Driver Capacitive Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC | SI8232AB-D-IS1.pdf | |
![]() | LH5G85TM | LH5G85TM ORIGINAL QFP | LH5G85TM.pdf | |
![]() | MB84VD22183EB-90PBS | MB84VD22183EB-90PBS FUJ BGA | MB84VD22183EB-90PBS.pdf | |
![]() | FB1F3P-T1B TEL:82766440 | FB1F3P-T1B TEL:82766440 NEC SMD or Through Hole | FB1F3P-T1B TEL:82766440.pdf | |
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![]() | XC3S1200FGG400 | XC3S1200FGG400 XILINX BGA | XC3S1200FGG400.pdf | |
![]() | MR-P20-W57-100 | MR-P20-W57-100 ORIGINAL SMD or Through Hole | MR-P20-W57-100.pdf | |
![]() | TLR315 | TLR315 TOSHIBA DIP-10 | TLR315.pdf | |
![]() | ADG7528JN | ADG7528JN AD DIP | ADG7528JN.pdf | |
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