창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43601F2477M80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43601 Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43601 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 470µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 250V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 190m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 10000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 1.93A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 260m옴 | |
| 리드 간격 | 0.394"(10.00mm) | |
| 크기/치수 | 0.984" Dia(25.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 1.268"(32.20mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 스냅인 | |
| 표준 포장 | 260 | |
| 다른 이름 | B43601F2477M080 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43601F2477M80 | |
| 관련 링크 | B43601F2, B43601F2477M80 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | CX3225SB16000E0FPZ25 | 16MHz ±10ppm 수정 9pF 54옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225SB16000E0FPZ25.pdf | |
![]() | 416F24025CKT | 24MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24025CKT.pdf | |
| SI8238BD-D-ISR | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 2 Channel 16-SOIC | SI8238BD-D-ISR.pdf | ||
![]() | ADT7481ARMZ-1RL | SENSOR TEMPERATURE SMBUS 10MSOP | ADT7481ARMZ-1RL.pdf | |
![]() | WP3210DBGB | WP3210DBGB WAVE BGA | WP3210DBGB.pdf | |
![]() | RH5VT19CA | RH5VT19CA RICOH SOT-89 | RH5VT19CA.pdf | |
![]() | XMIG0067 | XMIG0067 LT DIP8 | XMIG0067.pdf | |
![]() | 4-641215-3 | 4-641215-3 TYCO SMD or Through Hole | 4-641215-3.pdf | |
![]() | DS26LV32ATN | DS26LV32ATN NATIONALSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | DS26LV32ATN.pdf | |
![]() | M28W800BT90N6 | M28W800BT90N6 ST TSOP | M28W800BT90N6.pdf | |
![]() | CA471E | CA471E INTERAIL DIP-8 | CA471E.pdf | |
![]() | JE902006+ | JE902006+ NEC TO92 | JE902006+.pdf |