창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43584E2339M3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43564,84 Series | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43584 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 33000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 200V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 4m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 15000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 44.8A @ 100Hz | |
임피던스 | 5m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.583" Dia(91.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 8.740"(222.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 18 | |
다른 이름 | B43584E2339M 3 B43584E2339M003 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43584E2339M3 | |
관련 링크 | B43584E, B43584E2339M3 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | APTGF30X60T3G | IGBT MODULE NPT 2PH BRIDGE SP3 | APTGF30X60T3G.pdf | |
![]() | CRCW040260K4FKEDHP | RES SMD 60.4K OHM 1% 1/5W 0402 | CRCW040260K4FKEDHP.pdf | |
![]() | DP11HN15B30P | DP11 HOR 15P NDET 30P M7*7MM | DP11HN15B30P.pdf | |
![]() | 54AC157DM | 54AC157DM NSC Call | 54AC157DM.pdf | |
![]() | GRM31BF51C475ZA41L | GRM31BF51C475ZA41L ORIGINAL SMD or Through Hole | GRM31BF51C475ZA41L.pdf | |
![]() | L78L20ABZ | L78L20ABZ ST TO-92 | L78L20ABZ.pdf | |
![]() | INA207AIDGST | INA207AIDGST TI MSOP-10 | INA207AIDGST.pdf | |
![]() | KE84773-EC001 | KE84773-EC001 N/A SMD or Through Hole | KE84773-EC001.pdf | |
![]() | AN5392FBQ | AN5392FBQ PANASONIC QFP | AN5392FBQ.pdf | |
![]() | CBA201209-68N | CBA201209-68N TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | CBA201209-68N.pdf | |
![]() | HJR-4102E-L-05V | HJR-4102E-L-05V TLANBO DIP5 | HJR-4102E-L-05V.pdf |