창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43584A5478M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43564,84 | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43584 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 4700µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 38m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 15000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 16A @ 100Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.028" Dia(76.90mm) | |
높이 - 장착(최대) | 8.728"(221.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 24 | |
다른 이름 | B43584A5478M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43584A5478M | |
관련 링크 | B43584A, B43584A5478M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
TLP666F | TLP666F TOSHIBA DIP-5 | TLP666F.pdf | ||
TA229N | TA229N TOSIBA DIP | TA229N.pdf | ||
514A | 514A NEC WF514A336P | 514A.pdf | ||
HZ5C2TA-N-E-Q(5.0V-5.2V) | HZ5C2TA-N-E-Q(5.0V-5.2V) RENESAS SMD or Through Hole | HZ5C2TA-N-E-Q(5.0V-5.2V).pdf | ||
LS018A8GB06S | LS018A8GB06S SHARP SMD or Through Hole | LS018A8GB06S.pdf | ||
HFBR5961ATL | HFBR5961ATL AGTLENT DIP16 | HFBR5961ATL.pdf | ||
MJD45H11-13 | MJD45H11-13 DIODES SOT252 | MJD45H11-13.pdf | ||
MCH3310-TL -1.5A/30V | MCH3310-TL -1.5A/30V SANYO SOT323 | MCH3310-TL -1.5A/30V.pdf | ||
SAB80C537-16N-T4085 | SAB80C537-16N-T4085 ORIGINAL PLCC | SAB80C537-16N-T4085.pdf | ||
DM54164W/883B | DM54164W/883B NSC NA | DM54164W/883B.pdf | ||
YS-SD-001 | YS-SD-001 ORIGINAL SMD or Through Hole | YS-SD-001.pdf | ||
AM29F010B-120DC | AM29F010B-120DC AMD DIP32 | AM29F010B-120DC.pdf |