창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43564E2688M3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43564,84 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43564 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 6800µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 200V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 32m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 15000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 12.6A @ 100Hz | |
임피던스 | 25m옴 | |
리드 간격 | 1.122"(28.50mm) | |
크기/치수 | 2.532" Dia(64.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | 4.201"(106.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | B43564E2688M003 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43564E2688M3 | |
관련 링크 | B43564E, B43564E2688M3 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | PG0085.222NLT | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 46 mOhm Max Nonstandard | PG0085.222NLT.pdf | |
![]() | RG2012N-473-D-T5 | RES SMD 47K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-473-D-T5.pdf | |
![]() | RG1005N-1690-D-T10 | RES SMD 169 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-1690-D-T10.pdf | |
![]() | PLTT0805Z2581QGT5 | RES SMD 2.58KOHM 0.02% 1/4W 0805 | PLTT0805Z2581QGT5.pdf | |
![]() | FH4-5007-000 | FH4-5007-000 IR MODULE | FH4-5007-000.pdf | |
![]() | FK10SM10 | FK10SM10 MIT TO-3P | FK10SM10.pdf | |
![]() | 1N6274ARL4 | 1N6274ARL4 MOTOROLASEMICONDUCTORPRODUCT MOT | 1N6274ARL4.pdf | |
![]() | TC4S66FU | TC4S66FU TOSHIBA SC70-5 | TC4S66FU.pdf | |
![]() | 51754724 | 51754724 AMP SMD or Through Hole | 51754724.pdf | |
![]() | 29F016D-90E4C | 29F016D-90E4C AMD TSOP | 29F016D-90E4C.pdf | |
![]() | LTC2482 | LTC2482 LT QFN-10 | LTC2482.pdf | |
![]() | THS3095DDARG3 | THS3095DDARG3 TI-BB SOIC8 | THS3095DDARG3.pdf |