창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43564D5158M7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43564,84 Series | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43564 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 1500µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 99m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 15000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 6.6A @ 100Hz | |
임피던스 | 79m옴 | |
리드 간격 | 1.122"(28.50mm) | |
크기/치수 | 2.532" Dia(64.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | 3.217"(81.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | B43564D5158M007 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43564D5158M7 | |
관련 링크 | B43564D, B43564D5158M7 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | 5KP5.0A-G | TVS DIODE 5VWM 9.2VC R6 | 5KP5.0A-G.pdf | |
![]() | IPS090N03LGAKMA1 | MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3 | IPS090N03LGAKMA1.pdf | |
![]() | ELJ-NC33NJF | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 220mA 510 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | ELJ-NC33NJF.pdf | |
![]() | RG1005N-61R9-W-T5 | RES SMD 61.9OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005N-61R9-W-T5.pdf | |
![]() | 1N5290UR-1 | 1N5290UR-1 Microsemi SMD | 1N5290UR-1.pdf | |
![]() | TSD2M450V | TSD2M450V ST SMD or Through Hole | TSD2M450V.pdf | |
![]() | APL5151-25BC | APL5151-25BC APL S0T25 | APL5151-25BC.pdf | |
![]() | 74AHC00D,118 | 74AHC00D,118 NXP SOT108 | 74AHC00D,118.pdf | |
![]() | KSC1623-L-TF | KSC1623-L-TF SAMSUNG SOT-23 | KSC1623-L-TF.pdf | |
![]() | SG7805ACP | SG7805ACP LINFINITY TO220 | SG7805ACP.pdf | |
![]() | NRB1V105MR8 | NRB1V105MR8 NEC SMD or Through Hole | NRB1V105MR8.pdf | |
![]() | SP706EP-L | SP706EP-L SIPEX DIP-8 | SP706EP-L.pdf |