창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-B43564D4338M | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | B43564,84 Series | |
| PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
| 제조업체 | EPCOS (TDK) | |
| 계열 | B43564 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 3300µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 정격 전압 | 350V | |
| 등가 직렬 저항(ESR) | 48m옴 @ 100Hz | |
| 수명 @ 온도 | 15000시간(85°C) | |
| 작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
| 분극 | 극성 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 리플 전류 | 11A @ 100Hz | |
| 임피던스 | 38m옴 | |
| 리드 간격 | 1.122"(28.50mm) | |
| 크기/치수 | 2.532" Dia(64.30mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 4.201"(106.70mm) | |
| 표면 실장 면적 크기 | - | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | B43564D4338M000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | B43564D4338M | |
| 관련 링크 | B43564D, B43564D4338M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 | |
![]() | 0293830.T | FUSE AUTO 30A 32VDC AUTO LINK | 0293830.T.pdf | |
![]() | RT1206DRE07910RL | RES SMD 910 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE07910RL.pdf | |
![]() | SST39VF400A-70-4C-B3KE | SST39VF400A-70-4C-B3KE ST BGA | SST39VF400A-70-4C-B3KE .pdf | |
![]() | TA7628BP | TA7628BP TOSHIBA DIP16 | TA7628BP.pdf | |
![]() | TISP3250T3BJR-S | TISP3250T3BJR-S BOURNS DO-214AA | TISP3250T3BJR-S.pdf | |
![]() | HC14SJ | HC14SJ PHI PLCC | HC14SJ.pdf | |
![]() | TS10P02G | TS10P02G ORIGINAL SMD or Through Hole | TS10P02G.pdf | |
![]() | EA2-5NF | EA2-5NF NEC DIP10 | EA2-5NF.pdf | |
![]() | RL262-391J-RC | RL262-391J-RC BOURNS NA | RL262-391J-RC.pdf | |
![]() | BD82IBXM ES | BD82IBXM ES INTEL BGA | BD82IBXM ES.pdf | |
![]() | LQG15HN9N1J022D | LQG15HN9N1J022D MURATA SMD or Through Hole | LQG15HN9N1J022D.pdf | |
![]() | NMC0603X7R392K50TRPF | NMC0603X7R392K50TRPF NICCOMPONENTS SMD or Through Hole | NMC0603X7R392K50TRPF.pdf |