창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43564A6398M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43564,84 Series | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43564 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 3900µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 500V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 34m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 12000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 14.2A @ 100Hz | |
임피던스 | 34m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.028" Dia(76.90mm) | |
높이 - 장착(최대) | 5.677"(144.20mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 32 | |
다른 이름 | B43564A6398M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43564A6398M | |
관련 링크 | B43564A, B43564A6398M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | SIT9003AC-23-33DB-44.00550Y | OSC XO 3.3V 44.0055MHZ SD 0.25% | SIT9003AC-23-33DB-44.00550Y.pdf | |
![]() | RCH108NP-6R2M | 6.2µH Unshielded Inductor 5.3A 15.3 mOhm Max Radial | RCH108NP-6R2M.pdf | |
![]() | RG3216N-8453-B-T5 | RES SMD 845K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-8453-B-T5.pdf | |
![]() | E2EZ-X2D1-N 2M | Inductive Proximity Sensor 0.079" (2mm) IP67 Cylinder, Threaded - M12 | E2EZ-X2D1-N 2M.pdf | |
![]() | FH1240S05SH55 | FH1240S05SH55 HIRO SMD or Through Hole | FH1240S05SH55.pdf | |
![]() | VRF157 | VRF157 MICROSEMI SMD or Through Hole | VRF157.pdf | |
![]() | DF13-20DP-1.25V(91) | DF13-20DP-1.25V(91) HIROSEELECTRIC 20PositionSurface | DF13-20DP-1.25V(91).pdf | |
![]() | MT29C4G96MAZAPCJG- | MT29C4G96MAZAPCJG- MICRON FBGA168 | MT29C4G96MAZAPCJG-.pdf | |
![]() | ZMM4V3ST | ZMM4V3ST ST LL-34 | ZMM4V3ST.pdf | |
![]() | AP4511GH | AP4511GH ORIGINAL TO-252 | AP4511GH .pdf | |
![]() | D441000LG2 | D441000LG2 ORIGINAL SMD or Through Hole | D441000LG2.pdf |