창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43564A5688M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43564,84 Series | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43564 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 6800µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 450V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 24m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 15000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 20.1A @ 100Hz | |
임피던스 | 19m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.028" Dia(76.90mm) | |
높이 - 장착(최대) | 8.728"(221.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 12 | |
다른 이름 | 495-6429 B43564A5688M-ND B43564A5688M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43564A5688M | |
관련 링크 | B43564A, B43564A5688M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
UMK105CG8R2DW-F | 8.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | UMK105CG8R2DW-F.pdf | ||
445C3XK20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 8pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XK20M00000.pdf | ||
CR1206-FX-1800ELF | RES SMD 180 OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-1800ELF.pdf | ||
186029-002 | 186029-002 CMOPAQ BGA | 186029-002.pdf | ||
KHAU-17D11-12VDC | KHAU-17D11-12VDC NAiS SMD or Through Hole | KHAU-17D11-12VDC.pdf | ||
KB816AC-B | KB816AC-B kingbright DIPSOP | KB816AC-B.pdf | ||
2SD1963 T101Q(DGQ) | 2SD1963 T101Q(DGQ) ROHM SOT89 | 2SD1963 T101Q(DGQ).pdf | ||
LT1763MPDE | LT1763MPDE LT 12-LeadDFN | LT1763MPDE.pdf | ||
LQH15HS56NJ02D | LQH15HS56NJ02D MURATA SMD or Through Hole | LQH15HS56NJ02D.pdf | ||
TMS7445 | TMS7445 TI DIP | TMS7445.pdf | ||
R1LV0108ESF-5SIS0 | R1LV0108ESF-5SIS0 REA SMD or Through Hole | R1LV0108ESF-5SIS0.pdf |