창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43564A4108M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43564, 84 | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1917 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43564 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 1000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 350V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 130m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 15000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 5.1A @ 100Hz | |
임피던스 | 120m옴 | |
리드 간격 | 0.874"(22.20mm) | |
크기/치수 | 2.032" Dia(51.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | 3.177"(80.70mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 36 | |
다른 이름 | 495-3513 B43564A4108M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43564A4108M | |
관련 링크 | B43564A, B43564A4108M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | 500R07S100JV4T | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | 500R07S100JV4T.pdf | |
![]() | C0603X5R1A103K030BA | 10000pF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603X5R1A103K030BA.pdf | |
![]() | RCER71E475K2DBH03A | 4.7µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.217" L x 0.124" W(5.50mm x 3.15mm) | RCER71E475K2DBH03A.pdf | |
![]() | LD051A120JAB2A | 12pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | LD051A120JAB2A.pdf | |
![]() | SQD25N06-22L_GE3 | MOSFET N-CH 60V 25A TO252 | SQD25N06-22L_GE3.pdf | |
![]() | SW27756C | SW27756C ORIGINAL DIP8 | SW27756C.pdf | |
![]() | S3C1860XPOSK91 | S3C1860XPOSK91 SAMSUNG SOP5.2 | S3C1860XPOSK91.pdf | |
![]() | RGF30A | RGF30A ZOWIE SMD | RGF30A.pdf | |
![]() | IRF260NPNF | IRF260NPNF IR SMD or Through Hole | IRF260NPNF.pdf | |
![]() | 7451897 | 7451897 AMP SMD or Through Hole | 7451897.pdf | |
![]() | AP3406ADN-ADJTRG1 | AP3406ADN-ADJTRG1 ANALOGIC TDFN-6 | AP3406ADN-ADJTRG1.pdf |