창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-B43564A2159M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | B43564,84 Series | |
PCN 설계/사양 | Material Change 27/Mar/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | EPCOS (TDK) | |
계열 | B43564 | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 15000µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 250V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 11m옴 @ 100Hz | |
수명 @ 온도 | 15000시간(85°C) | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
분극 | 극성 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 29.2A @ 100Hz | |
임피던스 | 8m옴 | |
리드 간격 | 1.248"(31.70mm) | |
크기/치수 | 3.583" Dia(91.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 5.728"(145.50mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can - 나사형 단자 | |
표준 포장 | 18 | |
다른 이름 | B43564A2159M000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | B43564A2159M | |
관련 링크 | B43564A, B43564A2159M 데이터 시트, EPCOS (TDK) 에이전트 유통 |
![]() | SQCAEM8R2BA1WE | 8.2pF 150V 세라믹 커패시터 M 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCAEM8R2BA1WE.pdf | |
![]() | BFC237326564 | 0.56µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC237326564.pdf | |
![]() | S0402-22NG2B | 22nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 350 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-22NG2B.pdf | |
![]() | AT0805CRD07910RL | RES SMD 910 OHM 0.25% 1/8W 0805 | AT0805CRD07910RL.pdf | |
![]() | CMF60100R00FKEB64 | RES 100 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60100R00FKEB64.pdf | |
![]() | 6409 | 6409 NO QFN-12 | 6409.pdf | |
![]() | MN3101/MN3007 | MN3101/MN3007 PANASONIC DIP-8 | MN3101/MN3007.pdf | |
![]() | TCC774L-01X-BKR-AG | TCC774L-01X-BKR-AG TELECHIPS BGA | TCC774L-01X-BKR-AG.pdf | |
![]() | LE82BDY QP32ES | LE82BDY QP32ES Intel SMD or Through Hole | LE82BDY QP32ES.pdf | |
![]() | ADG791GBCPZ-50 | ADG791GBCPZ-50 AD NA | ADG791GBCPZ-50.pdf | |
![]() | FSM30C | FSM30C HITACHI SMD or Through Hole | FSM30C.pdf | |
![]() | TS1854 | TS1854 ST SO-14 | TS1854.pdf |